硬盘MLC、SLC、NCQ、SAS及ECC名词概念详解
什么是MLC？
NAND Flash产品可以分为三大架构，分别是单层式储存 (Single Level Cell;SLC)，包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者，第二种则是多层式储存(Multi Level Cell;MLC)，目前有东芝、Renesas使用，不过三星电子将在2005第四季推出相关产品，最后则是英飞凌(Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell;MBC)。 今天我们只谈SLC和MLC。
MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的，通过精确控制Floating Gat上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。
也就是说SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构可以有比较好的储存密度，再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量，而无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。
不过MLC架构有着缺点，首先是使用寿命较短，MLC架构只能承受约1万次的存取，远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度，SLC架构比MLC架构要快速三倍以上，加上MLC架构对于电力的消耗较多。
看来好像MLC不能使用了至少不成熟，而事事有个万一。因为现在三星在大批量生产MLC芯片，而三星又出品ARM主控芯片，所以相对其他的MP3主控芯片三星的主控芯片和三星MLC芯片的兼容相就更好。使用其他MLC芯片的MP3由于兼容性的问题有时就会出现读写速度慢，有闪存坏块等问题。
可以说MLC无论是在成本上考虑还是在容量发展上考虑都是很好的发展方向，而现在需要做的是完善这个技术，更好的利用这个技术。
什么是NCQ？
NCQ(Native Command Queuing，原生命令队列)是被设计用于改进在日益增加的负荷情况下硬盘的性能和稳定性的技术。当用户的应用程序发送多条指令到用户的硬盘，NCQ硬盘可以优化完成这些指令的顺序，从而降低机械负荷达到提升性能的目的。 NCQ技术是一种使硬盘内部优化工作负荷执行顺序，通过对内部队列中的命令进行重新排序实现智能数据管理，改善硬盘因机械部件而受到的各种性能制约.
NCQ简介
NCQ被称为“全速命令队列(Native Command Queuing，NCQ)”。全速命令队列是SATA II最先进和最令人期待的特性，是SATAⅡ规范中的重要组成部分，也是SATAⅡ规范唯一与硬盘性能相关的技术。NCQ是一项强大的接口/硬盘技术，它通过在硬盘内部优化作业的执行顺序来提升硬盘性能和使用寿命。
什么是SLC？
储单元分为两类：SLC(Single Level Cell 单层单元)和MLC(Multi-Level Cell多层单元)。此外，SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。此外，为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。 对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存是劣品，只有SLC架构的NAND闪存才能在质 量上有保障。殊不知采用MLC架构的NAND闪存产品在2003年就已经投入市场使用，至今也没有见哪位用户说自己曾经购买的大容量CF、SD卡有质量问 题。可能你会说这是暂时的，日后肯定出问题，那么我们就先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发展状况再来给这个假设做定论吧。
SLC技术，存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell只能存取1bit数据，有点儿类似于开关电路，虽然简单但却 非常稳定。如同电脑的CPU部件一样，要想在一定体积里容纳更多的晶体管数，就必须提高生产工艺水平，减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问 题，要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术，这就意味着厂商必须更换现有的生产设备，投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次 储存4个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量，厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证，自 然比SLC架构更受欢迎。
什么是ECC？
ECC内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。
定义
ECC校验是一种内存纠错原理，它是现在比较先进的内存错误检查和更正的手段。ECC内存即纠错内存，简单的说，其具有发现错误，纠正错误的功能，一般多应用在高档台式电脑/服务器及图形工作站上，这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定。
技术原理
内存是一种电子器件，在其工作过程中难免会出现错误，而对于稳定性要求高的用户来说，内存错误可能会引起致命性的问题。内存错误根据其原因还可分为硬错误和软错误。硬件错误是由于硬件的损害或缺陷造成的，因此数据总是不正确，此类错误是无法纠正的;软错误是随机出现的，例如在内存附近突然出现电子干扰等因素都可能造成内存软错误的发生。
SAS是什么 SAS(Serial Attached SCSI)，串行连接SCSI接口，串行连接小型计算机系统接口。 什么是SAS ?
SAS是新一代的SCSI技术，和现在流行的Serial ATA(SATA)硬盘相同，都是采用串行技术以获得更高的传输速度，并通过缩短连结线改善内部空间等。SAS是并行SCSI接口之后开发出的全新接口。此接口的设计是为了改善存储系统的效能、可用性和扩充性，提供与串行ATA (Serial ATA，缩写为SATA)硬盘的兼容性。
SAS的接口技术可以向下兼容SATA。SAS系统的背板(Backpanel)既可以连接具有双端口、高性能的SAS驱动器，也可以连接高容量、低成本的SATA驱动器。因为SAS驱动器的端口与SATA驱动器的端口形状看上去类似，所以SAS驱动器和SATA驱动器可以同时存在于一个存储系统之中。但需要注意的是，SATA系统并不兼容SAS，所以SAS驱动器不能连接到SATA背板上。由于SAS系统的兼容性，IT人员能够运用不同接口的硬盘来满足各类应用在容量上或效能上的需求，因此在扩充存储系统时拥有更多的弹性，让存储设备发挥最大的投资效益。
SAS技术还有简化内部连接设计的优势，存储设备厂商目前投入相当多的成本以支持包括光纤通道阵列、SATA阵列等不同的存储设备，而SAS连接技术将可以通过共用组件降低设计成本。
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